NPN-Transistor KSC2310-Y, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V

NPN-Transistor KSC2310-Y, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V

Menge
Stückpreis
1-4
0.61fr
5-24
0.49fr
25-49
0.43fr
50-99
0.38fr
100+
0.33fr
Menge auf Lager: 31

NPN-Transistor KSC2310-Y, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Kollektorstrom: 0.05A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92L (9mm magas). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: C2310 Y. Kosten): 3.5pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 120. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.8W. RoHS: nein. Technologie: „Epitaktischer Siliziumtransistor“. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

Technische Dokumentation (PDF)
KSC2310-Y
22 Parameter
Kollektorstrom
0.05A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92L (9mm magas)
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
150V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
100 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
C2310 Y
Kosten)
3.5pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Maximaler hFE-Gewinn
240
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
120
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.8W
RoHS
nein
Technologie
„Epitaktischer Siliziumtransistor“
Transistortyp
NPN
VCBO
200V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild