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NPN-Transistor KSC2328A-Y, 2A, 30 v
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NPN-Transistor KSC2328A-Y, 2A, 30 v. Kollektorstrom: 2A. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 10. CE-Diode: nein. FT: 120 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Menge pro Karton: 1. Pd (Verlustleistung, max): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Transistortyp: NPN. Widerstand B: 10. Originalprodukt vom Hersteller: Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27
KSC2328A-Y
13 Parameter
Kollektorstrom
2A
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
10
CE-Diode
nein
FT
120 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Menge pro Karton
1
Pd (Verlustleistung, max)
1W
Spec info
TO-92M (hauteur 9mm)
Transistortyp
NPN
Widerstand B
10
Originalprodukt vom Hersteller
Samsung