NPN-Transistor KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V

NPN-Transistor KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
1.91fr
5-24
1.66fr
25-49
1.40fr
50+
1.27fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 200

NPN-Transistor KSC5027-O, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: 0...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: KSC5027 (O). Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 60pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. RoHS: ja. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

KSC5027-O
28 Parameter
Kollektorstrom
3A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
0...+150°C
CE-Diode
nein
FT
15 MHz
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
KSC5027 (O)
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
60pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
20
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
RoHS
ja
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Transistortyp
NPN
VCBO
1100V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für KSC5027-O