NPN-Transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V

NPN-Transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
3.19fr
5-24
2.80fr
25-49
2.54fr
50+
2.37fr
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NPN-Transistor KSC5027F-R, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Kollektorstrom: 3A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220F. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: 0...+150°C. CE-Diode: ja. FT: 15 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 10A. Kosten): 60pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1100V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27

Technische Dokumentation (PDF)
KSC5027F-R
26 Parameter
Kollektorstrom
3A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220F
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
0...+150°C
CE-Diode
ja
FT
15 MHz
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
10A
Kosten)
60pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Maximaler hFE-Gewinn
30
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
15
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.3us
Tf(min)
0.5us
Transistortyp
NPN
VCBO
1100V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild

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