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NPN-Transistor KSR1003, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V
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1-4
0.69fr
5-24
0.62fr
25-49
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50+
0.50fr
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NPN-Transistor KSR1003, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrom: 0.1A. Gehäuse: TO-92. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 50V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 22k Ohms. Betriebstemperatur: +55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Funktion: SW. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: R1003. Kosten): 100pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Transistortyp: NPN. VCBO: 50V. Vebo: 10V. Widerstand B: 22k Ohms. Originalprodukt vom Hersteller: Samsung. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27
KSR1003
22 Parameter
Kollektorstrom
0.1A
Gehäuse
TO-92
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
50V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
22k Ohms
Betriebstemperatur
+55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
250 MHz
Funktion
SW
Halbleitermaterial
Silizium
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
R1003
Kosten)
100pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.3W
Transistortyp
NPN
VCBO
50V
Vebo
10V
Widerstand B
22k Ohms
Originalprodukt vom Hersteller
Samsung