NPN-Transistor KTA1663, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v
Menge
Stückpreis
1-4
0.44fr
5-24
0.35fr
25-49
0.31fr
50-99
0.28fr
100+
0.23fr
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NPN-Transistor KTA1663, 1.5A, SOT-89, SOT-89, 30 v. Kollektorstrom: 1.5A. Gehäuse: SOT-89. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-89. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 120 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 50pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Maximaler hFE-Gewinn: 320. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1W. Technologie: „Epitaxialer planarer PNP-Transistor“. Transistortyp: PNP. VCBO: 30 v. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Korea Electronics Semi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:37
KTA1663
21 Parameter
Kollektorstrom
1.5A
Gehäuse
SOT-89
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-89
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
120 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
50pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Maximaler hFE-Gewinn
320
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1W
Technologie
„Epitaxialer planarer PNP-Transistor“
Transistortyp
PNP
VCBO
30 v
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Korea Electronics Semi.