NPN-Transistor MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

NPN-Transistor MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V

Menge
Stückpreis
1-4
2.46fr
5-24
2.10fr
25-49
1.93fr
50-99
1.77fr
100+
1.57fr
Menge auf Lager: 59

NPN-Transistor MD2310FX, 14A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), ISOWATT218FX, 1500V. Kollektorstrom: 14A. Gehäuse: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Gehäuse (laut Datenblatt): ISOWATT218FX. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 1500V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 21A. Kosten): 1.6pF. Maximaler hFE-Gewinn: 8.5. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 6. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 62W. Produktionsdatum: 2014/17. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 0.25us. Tf(min): 0.12us. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05

Technische Dokumentation (PDF)
MD2310FX
28 Parameter
Kollektorstrom
14A
Gehäuse
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Gehäuse (laut Datenblatt)
ISOWATT218FX
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
1500V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
64kHz
Funktion
FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A)
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
21A
Kosten)
1.6pF
Maximaler hFE-Gewinn
8.5
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
6
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
62W
Produktionsdatum
2014/17
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
0.25us
Tf(min)
0.12us
Transistortyp
NPN
VCBO
700V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics