NPN-Transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V
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NPN-Transistor MJ11016G, TO-3 ( TO-204 ), 30A, 30A, TO-3 ( TO-204 ), 120V. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Kollektorstrom: 30A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+200°C. C(in): 4pF. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 4 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJ11016G. Hinweis: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 120V. Komponentenfamilie: Darlington NPN-Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11015. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 120V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05