NPN-Transistor MJ11033, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V

NPN-Transistor MJ11033, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V

Menge
Stückpreis
1-4
19.80fr
5-9
18.50fr
10-24
17.37fr
25-49
16.70fr
50+
15.74fr
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NPN-Transistor MJ11033, 50A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3 ( TO-204 ), 120V. Kollektorstrom: 50A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3 ( TO-204 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 100A. Kosten): 300pF. Maximaler hFE-Gewinn: 18000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 300W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ11032. Sättigungsspannung VCE(sat): 2.5V. Transistortyp: PNP. VCBO: 120V. Originalprodukt vom Hersteller: Cdil. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:52

Technische Dokumentation (PDF)
MJ11033
20 Parameter
Kollektorstrom
50A
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3 ( TO-204 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K)
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
100A
Kosten)
300pF
Maximaler hFE-Gewinn
18000
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
1000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
300W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ11032
Sättigungsspannung VCE(sat)
2.5V
Transistortyp
PNP
VCBO
120V
Originalprodukt vom Hersteller
Cdil