NPN-Transistor MJ15004G, TO-3 ( TO-204 ), 20A, TO-204AA, -140V, 140V, 20A, TO-3, 140V

NPN-Transistor MJ15004G, TO-3 ( TO-204 ), 20A, TO-204AA, -140V, 140V, 20A, TO-3, 140V

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Stückpreis
1-4
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5-9
8.98fr
10-24
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NPN-Transistor MJ15004G, TO-3 ( TO-204 ), 20A, TO-204AA, -140V, 140V, 20A, TO-3, 140V. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Kollektorstrom: 20A. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -140V. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 140V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 20A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 140V. Anzahl der Terminals: 2. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 70. Bandbreite MHz: 2MHz. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: -140V. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. FT: 2 MHz. Funktion: Leistungstransistor. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MJ15004G. Information: -. Komponentenfamilie: Hochspannungs-PNP-Transistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Leistung: 250W. MSL: -. Max Frequenz: 2MHz. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 250W. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Montageart: Chassis -Berg. Pd (Verlustleistung, max): 250W. Polarität: PNP. Produktionsdatum: 2015/08. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15003. Strom max 1: -20A. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Transistortyp: PNP. Typ: Leistung. VCBO: 140V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Div. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05

Technische Dokumentation (PDF)
MJ15004G
45 Parameter
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Kollektorstrom
20A
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-204AA
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-140V
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
140V
Kollektorstrom Ic [A], max.
20A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
140V
Anzahl der Terminals
2
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
70
Bandbreite MHz
2MHz
Betriebstemperatur
-65...+200°C
CE-Diode
nein
Collector-Base-Spannung VCBO
-140V
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
25
FT
2 MHz
Funktion
Leistungstransistor
Grenzfrequenz ft [MHz]
2 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
MJ15004G
Komponentenfamilie
Hochspannungs-PNP-Transistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Leistung
250W
Max Frequenz
2MHz
Maximale Temperatur
+200°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
250W
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Montageart
Chassis -Berg
Pd (Verlustleistung, max)
250W
Polarität
PNP
Produktionsdatum
2015/08
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ15003
Strom max 1
-20A
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Transistortyp
PNP
Typ
Leistung
VCBO
140V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
Div