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NPN-Transistor MJ15015-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V
Menge
Stückpreis
1-4
12.19fr
5-9
11.37fr
10-24
10.72fr
25-49
10.17fr
50+
9.42fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
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NPN-Transistor MJ15015-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 70. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: nein. FT: 0.8 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15016. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Transistortyp: NPN. VCBO: 200V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05
MJ15015-ONS
26 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Anzahl der Terminals
2
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
70
Betriebstemperatur
-65...+200°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
nein
FT
0.8 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Maximaler hFE-Gewinn
70
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ15016
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.1V
Tf(max)
6us
Tf(min)
4us
Transistortyp
NPN
VCBO
200V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor