NPN-Transistor MJ15016-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V

NPN-Transistor MJ15016-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V

Menge
Stückpreis
1-4
10.70fr
5-9
9.81fr
10-24
9.11fr
25-49
8.51fr
50+
7.70fr
Menge auf Lager: 27

NPN-Transistor MJ15016-ONS, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 120V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 0.8 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 180W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15015. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Tf(max): 6us. Tf(min): 4us. Transistortyp: PNP. VCBO: 200V. Vebo: 7V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 02/01/2026, 08:19

Technische Dokumentation (PDF)
MJ15016-ONS
24 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
120V
Anzahl der Terminals
2
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+200°C
CE-Diode
nein
FT
0.8 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Maximaler hFE-Gewinn
70
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
180W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ15015
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.1V
Tf(max)
6us
Tf(min)
4us
Transistortyp
PNP
VCBO
200V
Vebo
7V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor