NPN-Transistor MJ15023-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V

NPN-Transistor MJ15023-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
10.14fr
5-14
9.39fr
15-29
8.86fr
30-59
8.51fr
60+
8.02fr
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NPN-Transistor MJ15023-ONS, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-3 ( TO-204 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 200V. Anzahl der Terminals: 2. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+200°C. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: Hochleistungs-Audio. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kosten): 1.6pF. Maximaler hFE-Gewinn: 60. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 15. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 250W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJ15022. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Transistortyp: PNP. VCBO: 350V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 08:52

Technische Dokumentation (PDF)
MJ15023-ONS
25 Parameter
Kollektorstrom
16A
Gehäuse
TO-3 ( TO-204 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
200V
Anzahl der Terminals
2
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+200°C
CE-Diode
nein
FT
4 MHz
Funktion
Hochleistungs-Audio
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Kosten)
1.6pF
Maximaler hFE-Gewinn
60
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
15
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
250W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJ15022
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.4V
Transistortyp
PNP
VCBO
350V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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