NPN-Transistor MJ802G, TO-3, 30A

NPN-Transistor MJ802G, TO-3, 30A

Menge
Stückpreis
1-9
14.58fr
10+
11.05fr
Menge auf Lager: 82

NPN-Transistor MJ802G, TO-3, 30A. Gehäuse: TO-3. Kollektorstrom Ic [A], max.: 30A. Anzahl der Terminals: 3. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-204AA. Grenzfrequenz ft [MHz]: 2 MHz. Herstellerkennzeichnung: MJ802G. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 90V. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Maximale Temperatur: +200°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 200W. RoHS: ja. Originalprodukt vom Hersteller: Onsemi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 15:27

Technische Dokumentation (PDF)
MJ802G
13 Parameter
Gehäuse
TO-3
Kollektorstrom Ic [A], max.
30A
Anzahl der Terminals
3
Gehäuse (JEDEC-Standard)
TO-204AA
Grenzfrequenz ft [MHz]
2 MHz
Herstellerkennzeichnung
MJ802G
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
90V
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Maximale Temperatur
+200°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
200W
RoHS
ja
Originalprodukt vom Hersteller
Onsemi