NPN-Transistor MJE15030G, 150V, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 150V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: für Audioverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Leistung: 50W. Max Frequenz: 30MHz. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15031G. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 150V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:05