NPN-Transistor MJE15034G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V
Menge
Stückpreis
1-4
1.92fr
5-24
1.69fr
25-49
1.51fr
50-99
1.35fr
100+
1.15fr
| Menge auf Lager: 49 |
NPN-Transistor MJE15034G, 4A, TO-220, TO-220AB, 350V. Kollektorstrom: 4A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 350V. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 2.5pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 50W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE15035G. Transistortyp: NPN. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27
MJE15034G
16 Parameter
Kollektorstrom
4A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
350V
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
hFE=100 (Min) @ IC=0.5Adc
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
2.5pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
50W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJE15035G
Transistortyp
NPN
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor