NPN-Transistor MJE200G, 5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 40V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 65MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 80pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Maximaler hFE-Gewinn: 180. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 15W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE210. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.3V. Transistortyp: NPN. VCBO: 25V. Vebo: 8V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27