NPN-Transistor MJE3055T-FAI, 10A, TO-220, TO-220AB, 60V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 2 MHz. Funktion: NF-L. Halbleitermaterial: Silizium. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Maximaler hFE-Gewinn: 70. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 75W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE2955T. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.1V. Technologie: Epitaxie-Basis. Transistortyp: NPN. VCBO: 70V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27