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NPN-Transistor MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V
Menge
Stückpreis
1-4
0.73fr
5-49
0.62fr
50-99
0.54fr
100-199
0.47fr
200+
0.40fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
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NPN-Transistor MJE350-ONS, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: TO-126 (TO-225, SOT-32). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-225. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 7pF. CE-Diode: nein. FT: 10 MHz. Funktion: -. Halbleitermaterial: Silizium. Kosten): 110pF. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 20.8W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJE340. Transistortyp: PNP. Vebo: 3V. Äquivalente: KSE350. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:27
MJE350-ONS
22 Parameter
Kollektorstrom
0.5A
Gehäuse
TO-126 (TO-225, SOT-32)
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-225
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
7pF
CE-Diode
nein
FT
10 MHz
Halbleitermaterial
Silizium
Kosten)
110pF
Maximaler hFE-Gewinn
240
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
20.8W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJE340
Transistortyp
PNP
Vebo
3V
Äquivalente
KSE350
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor