NPN-Transistor MJE702, -80V, -4A, TO-126
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NPN-Transistor MJE702, -80V, -4A, TO-126. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -80V. Kollektorstrom: -4A. Gehäuse: TO-126. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 750. Leistung: 40W. Max Frequenz: 1MHz. Polarität: PNP. Transistortyp: Darlington-Leistungstransistor. Typ: Darlington-Transistor. Originalprodukt vom Hersteller: Motorola. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 05:26
MJE702
10 Parameter
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
-80V
Kollektorstrom
-4A
Gehäuse
TO-126
DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.
750
Leistung
40W
Max Frequenz
1MHz
Polarität
PNP
Transistortyp
Darlington-Leistungstransistor
Typ
Darlington-Transistor
Originalprodukt vom Hersteller
Motorola