NPN-Transistor MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V

NPN-Transistor MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V

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NPN-Transistor MJL21194, TO-264 ( TOP-3L ), 16A, TO–3PBL, 250V. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Kollektorstrom: 16A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO–3PBL. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kollektorstrom Ic [A]: 16A. Konditionierung: tubus. Kosten): 6pF. Leistung: 200W. Maximaler hFE-Gewinn: 75. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 250V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21193. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Technologie: Epitaxie-Basis. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MJL21194
31 Parameter
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Kollektorstrom
16A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO–3PBL
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
4 MHz
Funktion
hFE=25 Min @ IC=8Adc
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Kollektorstrom Ic [A]
16A
Konditionierung
tubus
Kosten)
6pF
Leistung
200W
Maximaler hFE-Gewinn
75
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
250V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJL21193
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.4V
Technologie
Epitaxie-Basis
Transistortyp
NPN
VCBO
400V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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