NPN-Transistor MJL21196, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V

NPN-Transistor MJL21196, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
8.16fr
5-9
7.52fr
10-24
7.00fr
25-49
6.56fr
50+
5.97fr
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NPN-Transistor MJL21196, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Kollektorstrom: 16A. Gehäuse: TO-264 ( TOP-3L ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-264. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 4 MHz. Funktion: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Maximaler hFE-Gewinn: 100. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 200W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MJL21195. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 400V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MJL21196
23 Parameter
Kollektorstrom
16A
Gehäuse
TO-264 ( TOP-3L )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-264
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
nein
FT
4 MHz
Funktion
hFE=25 Min @ IC=8Adc
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Maximaler hFE-Gewinn
100
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
200W
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MJL21195
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.4V
Transistortyp
NPN
VCBO
400V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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