NPN-Transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V
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NPN-Transistor MMBT3904LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 200mA, 0.2A, SOT-23, 60V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 200mA. Kollektorstrom: 0.2A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 60V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 300 MHz. Frequenz: 300MHz. Funktion: UNI. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Grenzfrequenz ft [MHz]: 300 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 1AM. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1AM. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 40V. Kollektorstrom Ic [A]: 0.2A. Komponentenfamilie: NPN-Transistor. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 1.6pF. Leistung: 300mW. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.225W. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.2W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Spec info: SMD 1AM. Transistortyp: NPN. VCBO: 40V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37