NPN-Transistor MMBT4401LT1G, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Funktion: Schalttransistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 0.9A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2x. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Kosten): 80pF. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 20. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Siebdruck/CMS-Code 2X. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37