NPN-Transistor MMBT4403LT1G, SOT-23 ( TO-236 ), 0.6A, SOT-23 ( TO236 ), 40V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 200 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2T. Kollektorstrom Ic [A]: 0.6A. 600mA. Konditionierungseinheit: 3000. Leistung: 225mW. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.3W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 40V. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Tf(max): 30 ns. Transistortyp: PNP. VCBO: 40V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37