NPN-Transistor MMBT5401, SOT-23 ( TO-236 ), 600mA, 0.5A, SOT-23 ( TO236 ), 150V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektorstrom Ic [A], max.: 600mA. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 150V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 100 MHz. Gehäuse (JEDEC-Standard): TO-236. Grenzfrequenz ft [MHz]: 100 MHz. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: 2L. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2 L. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 150V. Kollektorstrom Ic [A]: 0.6A. Komponentenfamilie: PNP-Transistor. Konditionierungseinheit: 3000. Konfiguration: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Kosten): 6pF. Leistung: 350mW. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 0.250W. Maximaler hFE-Gewinn: 240. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 50. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300mW. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 150V. Spec info: Siebdruck/SMD-Code (2Lx Date Code). Sättigungsspannung VCE(sat): 0.2V. Transistortyp: NPN. VCBO: 160V. Vebo: 5V. Äquivalente: MMBT5401LT1G. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37