NPN-Transistor MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V

NPN-Transistor MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V

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Stückpreis
10-49
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50-99
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100-499
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500+
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NPN-Transistor MMBTA42, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors). Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 1D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 1D. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 240mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA92. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: NPN. VCBO: 300V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MMBTA42
28 Parameter
Kollektorstrom
0.5A
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Funktion
Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors)
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
1D
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
1D
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
3000
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
240mW
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MMBTA92
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Transistortyp
NPN
VCBO
300V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild
Mindestmenge
10

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