NPN-Transistor MMBTA92, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V

NPN-Transistor MMBTA92, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V

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Stückpreis
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50-99
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100-199
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200+
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NPN-Transistor MMBTA92, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors). Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: 2D. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 2D. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Kosten): 170pF. Maximaler hFE-Gewinn: 40. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 300mW. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MMBTA42. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Transistortyp: PNP. VCBO: 300V. Vebo: 5V. Äquivalente: PMBTA92.215. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 18:37

Technische Dokumentation (PDF)
MMBTA92
30 Parameter
Kollektorstrom
0.5A
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23 ( TO236 )
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
300V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Funktion
Hochspannungsverstärkertransistor (SMD -Version des MPSA42 -Transistors)
Halbleitermaterial
Silizium
Hinweis
2D
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
2D
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
3000
Kosten)
170pF
Maximaler hFE-Gewinn
40
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
300mW
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MMBTA42
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.5V
Transistortyp
PNP
VCBO
300V
Vebo
5V
Äquivalente
PMBTA92.215
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor
Mindestmenge
10