NPN-Transistor MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v

NPN-Transistor MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
0.24fr
5-49
0.20fr
50-99
0.18fr
100-199
0.16fr
200+
0.14fr
+5 weitere Stück ab Lager lieferbar (Lieferung innerhalb von 4 Stunden). Kontaktieren Sie uns für Preise und Verfügbarkeit!
Menge auf Lager: 161

NPN-Transistor MPSA14, TO-92, 500mA, TO-92, 30 v. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 500mA. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 30 v. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Darlington-Transistor?: ja. FT: 125 MHz. Funktion: Allzweck. Halbleitermaterial: Silizium. Kollektorstrom Ic [A]: 500mA. Leistung: 0.625W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 1.5V. Maximaler hFE-Gewinn: 20000. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 10000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 30V. Technologie: Darlington-Transistor. Transistortyp: NPN. VCBO: 30 v. Vebo: 10V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:19

MPSA14
28 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
500mA
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
30 v
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Darlington-Transistor?
ja
FT
125 MHz
Funktion
Allzweck
Halbleitermaterial
Silizium
Kollektorstrom Ic [A]
500mA
Leistung
0.625W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
1.5V
Maximaler hFE-Gewinn
20000
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
10000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
30V
Technologie
Darlington-Transistor
Transistortyp
NPN
VCBO
30 v
Vebo
10V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor