NPN-Transistor MPSA56, TO-92, 0.5A, TO-92AMMO, 80V

NPN-Transistor MPSA56, TO-92, 0.5A, TO-92AMMO, 80V

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NPN-Transistor MPSA56, TO-92, 0.5A, TO-92AMMO, 80V. Gehäuse: TO-92. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-92AMMO. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 80V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. FT: 50 MHz. Frequenz: 50MHz. Funktion: NF-TR. Gewinne hfe: 100. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: MPSA56. Ic(Impuls): 1A. Kollektorstrom Ic [A]: 0.5A. Leistung: 0.625W. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.25V. Maximaler hFE-Gewinn: -. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 0.625W. Polarität: bipolar. Spannung (Sammler - Emitter): 80V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) MPSA06. Transistortyp: PNP. VCBO: 80V. Verpackung: Ammo Pack. Originalprodukt vom Hersteller: Diotec Semiconductor. Mindestmenge: 5. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:19

Technische Dokumentation (PDF)
MPSA56
29 Parameter
Gehäuse
TO-92
Kollektorstrom
0.5A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-92AMMO
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
80V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
FT
50 MHz
Frequenz
50MHz
Funktion
NF-TR
Gewinne hfe
100
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
MPSA56
Ic(Impuls)
1A
Kollektorstrom Ic [A]
0.5A
Leistung
0.625W
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.25V
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
0.625W
Polarität
bipolar
Spannung (Sammler - Emitter)
80V
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) MPSA06
Transistortyp
PNP
VCBO
80V
Verpackung
Ammo Pack
Originalprodukt vom Hersteller
Diotec Semiconductor
Mindestmenge
5