NPN-Transistor NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

NPN-Transistor NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
5.21fr
5-14
4.45fr
15-29
4.05fr
30-59
3.78fr
60+
3.37fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 10

NPN-Transistor NJW0281G, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Kollektorstrom: 15A. Gehäuse: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-3P. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 250V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 9pF. CE-Diode: nein. FT: 30 MHz. Funktion: Audio-Leistungsverstärker. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 30A. Kosten): 10pF. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 45. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 150W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) NJW0302. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 250V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 22:29

NJW0281G
26 Parameter
Kollektorstrom
15A
Gehäuse
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-3P
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
250V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
9pF
CE-Diode
nein
FT
30 MHz
Funktion
Audio-Leistungsverstärker
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
30A
Kosten)
10pF
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
45
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
150W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) NJW0302
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Transistortyp
NPN
VCBO
250V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor

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