NPN-Transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

NPN-Transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V

Menge
Stückpreis
10-24
0.0660fr
25-49
0.0594fr
50-99
0.0561fr
100+
0.0436fr
Menge auf Lager: 51
Minimum: 10

NPN-Transistor PMBT4401, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Kollektorstrom: 0.6A. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 40V. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -65...+150°C. C(in): 30pF. CE-Diode: nein. FT: 250 MHz. Funktion: Hochgeschwindigkeitsumschaltung. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 0.8A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: p2X, t2X, W2X. Kosten): 8pF. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.75V. Maximaler hFE-Gewinn: 300. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 100. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 0.25W. Spec info: Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401. Sättigungsspannung VCE(sat): 0.4V. Transistortyp: NPN. VCBO: 60V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Nxp Semiconductors. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:22

Technische Dokumentation (PDF)
PMBT4401
27 Parameter
Kollektorstrom
0.6A
Gehäuse
SOT-23 ( TO-236 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
SOT-23
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
40V
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-65...+150°C
C(in)
30pF
CE-Diode
nein
FT
250 MHz
Funktion
Hochgeschwindigkeitsumschaltung
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
0.8A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
p2X, t2X, W2X
Kosten)
8pF
Maximale Sättigungsspannung VCE(sat)
0.75V
Maximaler hFE-Gewinn
300
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
100
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
0.25W
Spec info
Siebdruck/SMD-Code P2X, T2X, W2X, Komplementärtransistor (Paar) PMBT4401
Sättigungsspannung VCE(sat)
0.4V
Transistortyp
NPN
VCBO
60V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Nxp Semiconductors
Mindestmenge
10