NPN-Transistor SMBTA42, SOT-23 ( TO-236 ), 4.87k Ohms, 0.5A, SOT-23, 300V. Gehäuse: SOT-23 ( TO-236 ). Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 4.87k Ohms. Kollektorstrom: 0.5A. Gehäuse (laut Datenblatt): SOT-23. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 300V. BE-Diode: nein. Bandbreite MHz: 50MHz. C(in): 11pF. CE-Diode: nein. Collector-Base-Spannung VCBO: 4.87k Ohms. DC -Kollektor/Basisgewinn hfe min.: 25. FT: 50 MHz. Funktion: Hochspannungsverstärker, SMD-Version von MPSA42. Halbleitermaterial: Silizium. Hinweis: Komplementärtransistor (Paar) SMBTA92. Information: -. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: s1D. Kosten): 1.5pF. Leistung: 0.36W. MSL: -. Maximale Sättigungsspannung VCE(sat): 0.5V. Maximaler hFE-Gewinn: -. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Montageart: SMD. Pd (Verlustleistung, max): 0.36W. Polarität: NPN. RoHS: ja. Serie: SMBTA. Spec info: Siebdruck/SMD-Code S1D. Strom max 1: 0.5A. Transistortyp: NPN. Typ: Transistor für Anwendungen mit geringer Leistung. VCBO: 300V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Infineon Technologies. Mindestmenge: 10. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:22