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NPN-Transistor ST13007A, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V
Menge
Stückpreis
1-4
1.80fr
5-24
1.59fr
25-49
1.43fr
50-99
1.32fr
100+
1.17fr
| Gleichwertigkeit vorhanden | |
| Menge auf Lager: 18 |
NPN-Transistor ST13007A, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Kollektorstrom: 8A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. FT: 4 MHz. Funktion: Schnelles Hochspannungsschalten. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 16A. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 13007A. Maximaler hFE-Gewinn: 30. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 16. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 80W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.2V. Temperatur: +150°C. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Transistortyp: NPN. VCBO: 700V. Vebo: 9V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 02:22
ST13007A
26 Parameter
Kollektorstrom
8A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
ja
FT
4 MHz
Funktion
Schnelles Hochspannungsschalten
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
16A
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
13007A
Maximaler hFE-Gewinn
30
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
16
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
80W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.2V
Temperatur
+150°C
Tf(max)
350 ns
Tf(min)
40 ns
Transistortyp
NPN
VCBO
700V
Vebo
9V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics