NPN-Transistor TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V

NPN-Transistor TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.15fr
5-24
1.00fr
25-49
0.90fr
50-99
0.82fr
100+
0.74fr
Menge auf Lager: 85

NPN-Transistor TIP127G, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 5A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: 8 k Ohms és 120 Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. FT: -. Funktion: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 8A. Konditionierung: Kunststoffrohr. Konditionierungseinheit: 50. Kosten): 300pF. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 1000. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 65W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP122G. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: ON Semiconductor. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

TIP127G
28 Parameter
Kollektorstrom
5A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
BE-Widerstand
8 k Ohms és 120 Ohms
Betriebstemperatur
-65...+150°C
CE-Diode
ja
Darlington-Transistor?
ja
Funktion
8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2)
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
8A
Konditionierung
Kunststoffrohr
Konditionierungseinheit
50
Kosten)
300pF
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
1000
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
65W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) TIP122G
Sättigungsspannung VCE(sat)
2V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
PNP
VCBO
100V
Vebo
5V
Originalprodukt vom Hersteller
ON Semiconductor