NPN-Transistor TIP147T, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrom: 10A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. BE-Widerstand: R1 typ=8k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Betriebstemperatur: -65...+150°C. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: ja. Funktion: Komplementärer Leistungs-Darlington-Transistor. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 20A. Maximaler hFE-Gewinn: 1000. Minimaler hFE-Gewinn: 500. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 90W. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP142T. Sättigungsspannung VCE(sat): 2V. Technologie: Monolithisches Darlington. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08