NPN-Transistor TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V

NPN-Transistor TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V

Menge
Stückpreis
1-4
1.97fr
5-29
1.74fr
30-59
1.58fr
60-89
1.46fr
90+
1.30fr
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NPN-Transistor TIP35C, TO-247, 100V, 25A, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: nein. FT: 3 MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP33C. Ic(Impuls): 50A. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Komponentenfamilie: NPN Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 35pF. Leistung: 125W. Max Frequenz: 3MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: bipolar. Produktionsdatum: 1450. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: komplementärer Transistor (Paar) TIP36C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Transistortyp: NPN. VCBO: 100V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TIP35C
38 Parameter
Gehäuse
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO
100V
Kollektorstrom Ic [A], max.
25A
Kollektorstrom
25A
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
100V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
nein
FT
3 MHz
Funktion
Komplementäre Leistungstransistoren
Halbleitermaterial
Silizium
Herstellerkennzeichnung
TIP33C
Ic(Impuls)
50A
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]
100V
Kollektorstrom Ic [A]
25A
Komponentenfamilie
NPN Leistungstransistor
Konditionierung
tubus
Konfiguration
Leiterplattendurchsteckmontage
Kosten)
35pF
Leistung
125W
Max Frequenz
3MHz
Maximale Temperatur
+150°C.
Maximale Verlustleistung Ptot [W]
125W
Maximaler hFE-Gewinn
50
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
25
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
Polarität
bipolar
Produktionsdatum
1450
RoHS
ja
Spannung (Sammler - Emitter)
100V
Spec info
komplementärer Transistor (Paar) TIP36C
Sättigungsspannung VCE(sat)
1.8V
Transistortyp
NPN
VCBO
100V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics

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