NPN-Transistor TIP36C, TO-247, -100V, 25A, 100V, 25A, TO-247, 100V. Gehäuse: TO-247. Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: -100V. Kollektorstrom: 25A. Gehäuse (JEDEC-Standard): -. Kollektor-Emitter-Spannung Uceo [V]: 100V. Kollektorstrom Ic [A], max.: 25A. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 100V. Anzahl der Terminals: 3. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. FT: 3 MHz. Frequenz: 3MHz. Funktion: Komplementäre Leistungstransistoren. Grenzfrequenz ft [MHz]: -. Halbleitermaterial: Silizium. Herstellerkennzeichnung: TIP33C. Ic(Impuls): 50A. Kollektorstrom Ic [A]: 25A. Komponentenfamilie: PNP-Leistungstransistor. Konditionierung: tubus. Konditionierungseinheit: 30. Konfiguration: Leiterplattendurchsteckmontage. Kosten): 45pF. Leistung: 125W. Max Frequenz: 3MHz. Maximale Temperatur: +150°C.. Maximale Verlustleistung Ptot [W]: 125W. Maximaler hFE-Gewinn: 50. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 25. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. Polarität: bipolar. Produktionsdatum: 1512. RoHS: ja. Spannung (Sammler - Emitter): 100V. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) TIP35C. Sättigungsspannung VCE(sat): 1.8V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: PNP. VCBO: 100V. Vebo: 5V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08