NPN-Transistor TIP50, 1A, TO-220, TO-220, 400V
Menge
Stückpreis
1-4
0.60fr
5-24
0.49fr
25-49
0.43fr
50-99
0.38fr
100+
0.33fr
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NPN-Transistor TIP50, 1A, TO-220, TO-220, 400V. Kollektorstrom: 1A. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 400V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. CE-Diode: ja. Darlington-Transistor?: nein. FT: 10 MHz. Funktion: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 2A. Maximaler hFE-Gewinn: 150. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 30. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 40W. RoHS: ja. Sättigungsspannung VCE(sat): 1V. Temperatur: +150°C. Transistortyp: NPN. VCBO: 500V. Originalprodukt vom Hersteller: Stmicroelectronics. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08
TIP50
23 Parameter
Kollektorstrom
1A
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
400V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
CE-Diode
ja
Darlington-Transistor?
nein
FT
10 MHz
Funktion
SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
2A
Maximaler hFE-Gewinn
150
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
30
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
40W
RoHS
ja
Sättigungsspannung VCE(sat)
1V
Temperatur
+150°C
Transistortyp
NPN
VCBO
500V
Originalprodukt vom Hersteller
Stmicroelectronics