NPN-Transistor TT2140LS, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V

NPN-Transistor TT2140LS, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V

Menge
Stückpreis
1-4
5.30fr
5-24
5.00fr
25-49
4.70fr
50-99
4.39fr
100+
3.53fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 1

NPN-Transistor TT2140LS, 6A, TO-220FP, TO-220FI, 800V. Kollektorstrom: 6A. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FI. Kollektor-/Emitterspannung Vceo: 800V. Anzahl der Terminals: 3. BE-Diode: nein. Betriebstemperatur: -55...+150°C. CE-Diode: nein. Funktion: Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern. Halbleitermaterial: Silizium. Ic(Impuls): 15A. Kosten): 110pF. Maximaler hFE-Gewinn: 8:1. Menge pro Karton: 1. Minimaler hFE-Gewinn: 5. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. RoHS: ja. Spec info: mit Polarisationswiderstand Rbe. Sättigungsspannung VCE(sat): 3V. Technologie: „Triple Diffused Planar Silicon Transistor“. Tf(max): 0.3us. Transistortyp: NPN. VCBO: 1500V. Vebo: 6V. Originalprodukt vom Hersteller: Sanyo. Bestandsmenge aktualisiert am 12/11/2025, 19:08

Technische Dokumentation (PDF)
TT2140LS
26 Parameter
Kollektorstrom
6A
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FI
Kollektor-/Emitterspannung Vceo
800V
Anzahl der Terminals
3
BE-Diode
nein
Betriebstemperatur
-55...+150°C
CE-Diode
nein
Funktion
Anwendungen für die horizontale Ablenkungsausgabe von Farbfernsehern
Halbleitermaterial
Silizium
Ic(Impuls)
15A
Kosten)
110pF
Maximaler hFE-Gewinn
8:1
Menge pro Karton
1
Minimaler hFE-Gewinn
5
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
RoHS
ja
Spec info
mit Polarisationswiderstand Rbe
Sättigungsspannung VCE(sat)
3V
Technologie
„Triple Diffused Planar Silicon Transistor“
Tf(max)
0.3us
Transistortyp
NPN
VCBO
1500V
Vebo
6V
Originalprodukt vom Hersteller
Sanyo

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