P-Kanal-Transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

P-Kanal-Transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Menge
Stückpreis
1-4
2.02fr
5-9
1.69fr
10-24
1.52fr
25-49
1.40fr
50+
1.26fr
Menge auf Lager: 3

P-Kanal-Transistor 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. ID (T=25°C): 6A. IDSS (max): 100uA. Gehäuse: TO-220FP. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220FP. Spannung Vds(max): 250V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1040pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.55 Ohms. Funktion: SWITCHING, POWER MOS FET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung (aus) min.: 4 v. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. IDss (min): -. Id(imp): 24A. Kanaltyp: P. Kosten): 360pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 35W. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Nec. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26

Technische Dokumentation (PDF)
2SJ449
25 Parameter
ID (T=25°C)
6A
IDSS (max)
100uA
Gehäuse
TO-220FP
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220FP
Spannung Vds(max)
250V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1040pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.55 Ohms
Funktion
SWITCHING, POWER MOS FET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung (aus) min.
4 v
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
Id(imp)
24A
Kanaltyp
P
Kosten)
360pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
35W
Td(off)
47 ns
Td(on)
24 ns
Technologie
P-CHANNEL POWER MOS FET
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Nec