P-Kanal-Transistor 2SJ79, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V
Menge
Stückpreis
1-4
8.43fr
5-9
7.86fr
10-24
7.46fr
25+
7.12fr
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P-Kanal-Transistor 2SJ79, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 500mA. IDSS (max): 500mA. Gehäuse: TO-220. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-220AB. Spannung Vds(max): 200V. Betriebstemperatur: -40...+150°C. C(in): 120pF. Drain-Source-Schutz: ja. Funktion: Komplementärtransistor (Paar) 2SK216. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 15V. Kanaltyp: P. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 30W. Transistortyp: FET. Originalprodukt vom Hersteller: Hitachi. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 20:26
2SJ79
17 Parameter
ID (T=25°C)
500mA
IDSS (max)
500mA
Gehäuse
TO-220
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-220AB
Spannung Vds(max)
200V
Betriebstemperatur
-40...+150°C
C(in)
120pF
Drain-Source-Schutz
ja
Funktion
Komplementärtransistor (Paar) 2SK216
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
15V
Kanaltyp
P
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
30W
Transistortyp
FET
Originalprodukt vom Hersteller
Hitachi