P-Kanal-Transistor ALF08P20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

P-Kanal-Transistor ALF08P20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V

Menge
Stückpreis
1-4
18.28fr
5-9
17.18fr
10-24
16.32fr
25+
15.67fr
Gleichwertigkeit vorhanden
Menge auf Lager: 7

P-Kanal-Transistor ALF08P20V, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. IDSS (max): 10mA. Gehäuse: TO-247. Gehäuse (laut Datenblatt): TO-247. Spannung Vds(max): 200V. Anzahl der Terminals: 3. C(in): 500pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Funktion: AUDIO POWER MOSFET. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 14V. IDss (min): 10mA. Kanaltyp: P. Kosten): 300pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: Leiterplattendurchsteckmontage. Pd (Verlustleistung, max): 125W. RoHS: ja. Spec info: Komplementärtransistor (Paar) ALF08N20V. Td(off): 50 ns. Td(on): 100 ns. Temperatur: +150°C. Transistortyp: MOSFET. Originalprodukt vom Hersteller: Semelab. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 03:20

ALF08P20V
24 Parameter
ID (T=25°C)
8A
IDSS (max)
10mA
Gehäuse
TO-247
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-247
Spannung Vds(max)
200V
Anzahl der Terminals
3
C(in)
500pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Funktion
AUDIO POWER MOSFET
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
14V
IDss (min)
10mA
Kanaltyp
P
Kosten)
300pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
Leiterplattendurchsteckmontage
Pd (Verlustleistung, max)
125W
RoHS
ja
Spec info
Komplementärtransistor (Paar) ALF08N20V
Td(off)
50 ns
Td(on)
100 ns
Temperatur
+150°C
Transistortyp
MOSFET
Originalprodukt vom Hersteller
Semelab

Gleichwertige Produkte und/oder Zubehör für ALF08P20V