P-Kanal-Transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

P-Kanal-Transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Menge
Stückpreis
1-4
0.87fr
5-24
0.73fr
25-49
0.65fr
50-99
0.59fr
100+
0.51fr
Menge auf Lager: 24

P-Kanal-Transistor AP9575AGH, 17A, 250uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 17A. IDSS (max): 250uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 60V. Anzahl der Terminals: 3. Betriebstemperatur: -55°C...+150°C. C(in): 1440pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.064 Ohms. Funktion: -. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 30 v. ID (T=100°C): 11A. IDss (min): 10uA. Id(imp): 60A. Kanaltyp: P. Kosten): 160pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 36W. RoHS: ja. Td(off): 45 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: „Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 43 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Advanced Power. Bestandsmenge aktualisiert am 31/10/2025, 09:25

Technische Dokumentation (PDF)
AP9575AGH
29 Parameter
ID (T=25°C)
17A
IDSS (max)
250uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
60V
Anzahl der Terminals
3
Betriebstemperatur
-55°C...+150°C
C(in)
1440pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.064 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
30 v
ID (T=100°C)
11A
IDss (min)
10uA
Id(imp)
60A
Kanaltyp
P
Kosten)
160pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
36W
RoHS
ja
Td(off)
45 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
„Anreicherungsmodus-Leistungs-MOSFET“
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
43 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Advanced Power