P-Kanal-Transistor DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

P-Kanal-Transistor DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.42fr
5-24
1.23fr
25-49
1.13fr
50-99
1.05fr
100+
0.95fr
Menge auf Lager: 33

P-Kanal-Transistor DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1802pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.0116 Ohms. Funktion: Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität. G-S-Schutz: nein. ID (T=100°C): 9A. IDss (min): -. Id(imp): 80A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: P3020LS. Kosten): 415pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Td(off): 46 ns. Td(on): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 30 ns. Verschiedenes: Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Eingangs-/Ausgangsverlust. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Diodes Inc. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 11:43

DMP3020LSS
29 Parameter
ID (T=25°C)
12A
IDSS (max)
1uA
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
1802pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.0116 Ohms
Funktion
Niedriger Einschaltwiderstand, niedrige Gate-Schwellenspannung, niedrige Eingangskapazität
G-S-Schutz
nein
ID (T=100°C)
9A
Id(imp)
80A
Kanaltyp
P
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
P3020LS
Kosten)
415pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.5W
Td(off)
46 ns
Td(on)
5.1 ns
Technologie
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
30 ns
Verschiedenes
Schnelle Schaltgeschwindigkeit, geringer Eingangs-/Ausgangsverlust
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Diodes Inc.