P-Kanal-Transistor FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V

P-Kanal-Transistor FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V

Menge
Stückpreis
1-4
0.83fr
5-24
0.71fr
25-49
0.62fr
50-99
0.55fr
100+
0.45fr
Menge auf Lager: 31

P-Kanal-Transistor FDC642P, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. IDSS (max): 10uA. Gehäuse: TSOP. Gehäuse (laut Datenblatt): SUPERSOT-6. Spannung Vds(max): 20V. Anzahl der Terminals: 6. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 700pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.045 Ohms. Funktion: Lastschalter, Batterieschutz. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 8V. Hinweis: Siebdruck/SMD-Code 642. ID (T=100°C): -. IDss (min): 1uA. Id(imp): 20A. Kanaltyp: P. Kennzeichnung auf dem Gehäuse: 642. Konditionierung: Rolle. Konditionierungseinheit: 3000. Kosten): 110pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: Niedrige Eingangsaufladung. Td(off): 120ns. Td(on): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
FDC642P
33 Parameter
ID (T=25°C)
4A
IDSS (max)
10uA
Gehäuse
TSOP
Gehäuse (laut Datenblatt)
SUPERSOT-6
Spannung Vds(max)
20V
Anzahl der Terminals
6
Betriebstemperatur
-55...+150°C
C(in)
700pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.045 Ohms
Funktion
Lastschalter, Batterieschutz
G-S-Schutz
ja
Gate/Source-Spannung Vgs
8V
Hinweis
Siebdruck/SMD-Code 642
IDss (min)
1uA
Id(imp)
20A
Kanaltyp
P
Kennzeichnung auf dem Gehäuse
642
Konditionierung
Rolle
Konditionierungseinheit
3000
Kosten)
110pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
1.6W
RoHS
ja
Spec info
Niedrige Eingangsaufladung
Td(off)
120ns
Td(on)
6 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) max.
1.5V
Vgs(th) min.
0.4V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild