P-Kanal-Transistor FDD6685, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

P-Kanal-Transistor FDD6685, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v

Menge
Stückpreis
1-4
1.37fr
5-49
1.13fr
50-99
1.01fr
100+
0.89fr
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P-Kanal-Transistor FDD6685, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 40A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: D-PAK ( TO-252 ). Gehäuse (laut Datenblatt): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 2. Betriebstemperatur: -55...+175°C. C(in): 1715pF. Drain-Source-Schutz: Diode. Einschaltwiderstand Rds On: 0.014 Ohms. Funktion: DC/DC-Spannungswandler. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Hinweis: Transistor mit Logikpegel-Gate. ID (T=100°C): 11A. Id(imp): 100A. Kanaltyp: P. Kosten): 440pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 52W. RoHS: ja. Td(off): 43 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 26 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 01:47

Technische Dokumentation (PDF)
FDD6685
30 Parameter
ID (T=25°C)
40A
IDSS (max)
1uA
Gehäuse
D-PAK ( TO-252 )
Gehäuse (laut Datenblatt)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
2
Betriebstemperatur
-55...+175°C
C(in)
1715pF
Drain-Source-Schutz
Diode
Einschaltwiderstand Rds On
0.014 Ohms
Funktion
DC/DC-Spannungswandler
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
Hinweis
Transistor mit Logikpegel-Gate
ID (T=100°C)
11A
Id(imp)
100A
Kanaltyp
P
Kosten)
440pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
52W
RoHS
ja
Td(off)
43 ns
Td(on)
17 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Transistortyp
MOSFET
Trr-Diode (Min.)
26 ns
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild