P-Kanal-Transistor FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v
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Stückpreis
1-4
0.91fr
5-49
0.75fr
50-99
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100+
0.54fr
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P-Kanal-Transistor FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. C(in): 1604pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 0.015 Ohms. G-S-Schutz: nein. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. IDss (min): 1uA. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Kosten): 408pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Td(off): 42 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: P-Kanal. Transistortyp: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00
FDS4435
25 Parameter
ID (T=25°C)
8.8A
IDSS (max)
1uA
Gehäuse
SO
Gehäuse (laut Datenblatt)
SO-8
Spannung Vds(max)
30 v
Anzahl der Terminals
8:1
C(in)
1604pF
Drain-Source-Schutz
ja
Einschaltwiderstand Rds On
0.015 Ohms
G-S-Schutz
nein
Gate/Source-Spannung Vgs
25V
IDss (min)
1uA
Id(imp)
50A
Kanaltyp
P
Kosten)
408pF
Menge pro Karton
1
Montage/Installation
oberflächenmontiertes Bauteil (SMD)
Pd (Verlustleistung, max)
2.5W
RoHS
ja
Td(off)
42 ns
Td(on)
13 ns
Technologie
P-Kanal
Transistortyp
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Originalprodukt vom Hersteller
Fairchild