P-Kanal-Transistor FDS4435BZ, SO, 8.8A, 1uA, SO-8, 30 v. Gehäuse: SO. ID (T=25°C): 8.8A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. : erweitert. Anzahl der Terminals: 8:1. Aufladung: 40nC. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 1385pF. Drain-Source-Schutz: nein. Drain-Source-Spannung: -30V. Einschaltwiderstand Rds On: 0.016 Ohms. Funktion: Batterieladeregler. G-S-Schutz: ja. Gate-Source-Spannung: ±20V. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. Id(imp): 50A. Kanaltyp: P. Kosten): 275pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. Polarität: unipolar. RoHS: ja. Spec info: HBM ESD-Schutzart von 3,8 kV. Strömung abfließen: -8.8A. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: P-Kanal. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 29 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00