P-Kanal-Transistor FDS6679AZ, 13A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 13A. IDSS (max): 1uA. Gehäuse: SO. Gehäuse (laut Datenblatt): SO-8. Spannung Vds(max): 30 v. Anzahl der Terminals: 8:1. Betriebstemperatur: -55...+150°C. C(in): 2890pF. Drain-Source-Schutz: ja. Einschaltwiderstand Rds On: 7.7m Ohms. G-S-Schutz: ja. Gate/Source-Spannung Vgs: 25V. ID (T=100°C): n/a. IDss (min): n/a. Id(imp): 65A. Kanaltyp: P. Kosten): 500pF. Menge pro Karton: 1. Montage/Installation: oberflächenmontiertes Bauteil (SMD). Pd (Verlustleistung, max): 2.5W. RoHS: ja. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Td(off): 210 ns. Td(on): 13 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Transistortyp: MOSFET. Trr-Diode (Min.): 40 ns. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Originalprodukt vom Hersteller: Fairchild. Bestandsmenge aktualisiert am 13/11/2025, 23:00